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삼성전자 DS(디바이스솔루션) 부문은 1일 자로 HBM 개발팀을 신설했다. 신임 HBM 개발팀장은 고성능 D램 제품 설계 전문가인 손영수 부사장이 맡았다. 손 부사장은 앞서 메모리사업부 상품기획팀에서 저전압에서 고성능 구현이 가능한 고용량 메모리, 고성능 모바일 D램과 플래시 메모리를 결합한 멀티칩 패키지 등의 개발에 참여했다.

이번에 신설되는 HBM 개발팀은 HBM3(4세대), HBM3E(5세대)를 비롯해 삼성전자의 차세대 HBM4(6세대) 기술 개발을 주도한다.

삼성전자는 2015년부터 메모리사업부 내 HBM 개발조직을 운영해 왔다. HBM2 이후 전략적 이유 등으로 일부 인력 및 자원 조절 등이 있었지만, 삼성전자는 내부적으로 HBM 개발을 지속했다. 그러나 AI(인공지능) 시장 확대로 HBM 수요가 급증하고 HBM 경쟁력 강화가 시급한 과제로 떠오르면서, 삼성전자 경영진은 HBM 전담 조직 강화 카드를 꺼내들었다.

삼성전자는 지난 2월 말 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 쌓아 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현했다. 이는 전작인 HBM3(4세대) 8단 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자의 HBM3E 8단과 12단 제품은 현재 엔비디아의 품질 테스트를 진행 중이다.